Volume 3,Issue 9
半导体激光对根管峡部牙本质形貌及显微硬度的影响
目的：探究不同功率半导体激光对根管峡部牙本质形貌及显微硬度的影响。方法：通过CBCT 筛选具有根管峡部的实验离体牙56颗，根管预备后随机分为空白对照组、激光组（0.75W、1.0W、1.25W）、超声荡洗组（1 档、2 档、3档）。采用扫描电镜（SEM）评估根管峡部玷污层的去除效果，并通过显微硬度仪测量牙本质显微硬度。结果：形貌分析显示，1.0W 和1.25W 激光组在去除根管峡部玷污层方面、根管峡部牙本质显微硬度优于其他组（P ＜0.05），且两者间无显著差异（P ＞0.05）。结论：1.0W 和1.25W 半导体激光在去除根管峡部玷污层方面优于超声荡洗；1.0W 和1.25W 激光照射可增强根管峡部牙本质显微硬度，而超声荡洗和0.5W 激光对牙本质显微硬度影响不显著。
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